Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
7.8A
Pulsed drain current
80A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT8012LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current7.8A
Pulsed drain current80A
Power dissipation2W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance20mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.8A; Idm: 80A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.