Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT8008SPS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
66A
Pulsed drain current
330A
Power dissipation
2.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT8008SPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current66A
Pulsed drain current330A
Power dissipation2.8W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance11mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 66A; Idm: 330A; 2.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.