DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT8008LFG-13

PowerDI3333-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 13 A
Pulsed drain current: 192 A
Power dissipation: 2.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMT8008LFG-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	13 A
Pulsed drain current	192 A
Power dissipation	2.5 W
Корпус	PowerDI3333-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	10.4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	37.7nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 13A; Idm: 192A; 2.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.