Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT69M5LH3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
60A
Pulsed drain current
300A
Power dissipation
3.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT69M5LH3
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current60A
Pulsed drain current300A
Power dissipation3.3W
КорпусTO251
Gate-source voltage±20V
On-state resistance15mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge28.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.