Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT69M5LFVWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
11.9 A
Pulsed drain current
160 A
Рассеиваемая мощность
2.74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT69M5LFVWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current11.9 A
Pulsed drain current160 A
Рассеиваемая мощность2.74 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 160A; 2.74W

Документация

Документы пока не предоставлены.