Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT68M8LPS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
11.2A
Pulsed drain current
270A
Power dissipation
2.4W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT68M8LPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current11.2A
Pulsed drain current270A
Power dissipation2.4W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.2A; Idm: 270A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.