Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT67M8LSS-13

DMT67M8LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
11.8 A
Pulsed drain current
120 A
Power dissipation
2.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT67M8LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current11.8 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation2.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.8A; Idm: 120A; 2.2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.