Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT67M8LK3-13

DMT67M8LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
69 A
Pulsed drain current
345 A
Рассеиваемая мощность
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT67M8LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current69 A
Pulsed drain current345 A
Рассеиваемая мощность3.1 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; Idm: 345A; 3.1W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.