Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT67M8LCG-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
12.8A
Pulsed drain current
256A
Power dissipation
2.2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT67M8LCG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current12.8A
Pulsed drain current256A
Power dissipation2.2W
КорпусV-DFN3333-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8.1mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37.5nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12.8A; Idm: 256A; 2.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.