Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT616MLSS-13

DMT616MLSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
8A
Pulsed drain current
70A
Power dissipation
2.06W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT616MLSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current8A
Pulsed drain current70A
Power dissipation2.06W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance21mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 70A; 2.06W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.