Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
9.5A
Pulsed drain current
60A
Power dissipation
2.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6016LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current9.5A
Pulsed drain current60A
Power dissipation2.1W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance28mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.