DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6016LPS-13

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 120 A
Power dissipation: 2.6 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMT6016LPS-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	120 A
Power dissipation	2.6 W
Корпус	PowerDI5060-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	24 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 2.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.