Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
8.4 A
Pulsed drain current
65 A
Power dissipation
1.84 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6012LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current8.4 A
Pulsed drain current65 A
Power dissipation1.84 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22.2nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.