Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6012LFV-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
34.7 A
Pulsed drain current
170 A
Power dissipation
1.95 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6012LFV-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current34.7 A
Pulsed drain current170 A
Power dissipation1.95 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22.2nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W

Документация

Документы пока не предоставлены.