Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6010SCT

DMT6010SCT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
98 A
Pulsed drain current
160 A
Power dissipation
104 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6010SCT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current98 A
Pulsed drain current160 A
Power dissipation104 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.