Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6010LPS-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
125 A
Power dissipation
2.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT6010LPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current11 A
Pulsed drain current125 A
Power dissipation2.2 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.