DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6010LFG-13

PowerDI®3333-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 25 A
Power dissipation: 2.2 W
Корпус: PowerDI®3333-8

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMT6010LFG-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	25 A
Power dissipation	2.2 W
Корпус	PowerDI®3333-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	11.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8

Документация

Документы пока не предоставлены.