Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
10.6 A
Pulsed drain current
90 A
Рассеиваемая мощность
2.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT6009LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current10.6 A
Pulsed drain current90 A
Рассеиваемая мощность2.6 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance12.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.