Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6009LFG-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
34 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
19.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT6009LFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current34 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation19.2 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.5nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.