Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6009LCT

DMT6009LCT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
29.8 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
2.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6009LCT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current29.8 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation2.2 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance14.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge33.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.