Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6008LFG-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
11A
Pulsed drain current
80A
Power dissipation
2.2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6008LFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current11A
Pulsed drain current80A
Power dissipation2.2W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±12V
On-state resistance11.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.