Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6006SPS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
390 A
Power dissipation
2.45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6006SPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current13 A
Pulsed drain current390 A
Power dissipation2.45 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27.9nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W

Документация

Документы пока не предоставлены.