Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6006LSS-13

DMT6006LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
11.7 A
Pulsed drain current
110 A
Power dissipation
2.08 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6006LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current11.7 A
Pulsed drain current110 A
Power dissipation2.08 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34.9nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 110A; 2.08W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.