Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6006LK3-13

DMT6006LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
71 A
Pulsed drain current
350 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6006LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current71 A
Pulsed drain current350 A
Power dissipation3.1 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34.9nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; Idm: 350A; 3.1W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.