DIODES INCORPORATED
Транзистор DMT6005LPS-13
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 14.7 A
- Pulsed drain current
- 500 A
- Power dissipation
- 2.6 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | DMT6005LPS-13 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 14.7 A |
| Pulsed drain current | 500 A |
| Power dissipation | 2.6 W |
| Корпус | PowerDI5060-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 6.5 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 47.1nC |
| Kind of package | 13 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.