Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT6002LPS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
100A
Pulsed drain current
400A
Power dissipation
2.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT6002LPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current100A
Pulsed drain current400A
Power dissipation2.3W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130.8nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.