Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT47M2SFVWQ-7

DMT47M2SFVWQ-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
49.1 A
Pulsed drain current
196 A
Power dissipation
27.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT47M2SFVWQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current49.1 A
Pulsed drain current196 A
Power dissipation27.1 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.1nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49.1A; Idm: 196A; 27.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.