Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT47M2SFVWQ-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
12.3A
Pulsed drain current
196A
Power dissipation
2.67W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT47M2SFVWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current12.3A
Pulsed drain current196A
Power dissipation2.67W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.3A; Idm: 196A; 2.67W

Документация

Документы пока не предоставлены.