Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT4003SCT

DMT4003SCT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
164 A
Pulsed drain current
350 A
Power dissipation
156 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT4003SCT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current164 A
Pulsed drain current350 A
Power dissipation156 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.