Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT35M4LFVW-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
110 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT35M4LFVW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current13 A
Pulsed drain current110 A
Power dissipation1.5 W
КорпусPowerDI®3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.1nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 110A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.