Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT32M4LFG-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Power dissipation
1.1 W
Корпус
DFN3333-8
On-state resistance
1.7 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT32M4LFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Power dissipation1.1 W
КорпусDFN3333-8
On-state resistance1.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35.4nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1W; DFN3333-8

Документация

Документы пока не предоставлены.