Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3020UFDB-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
5.2A
Pulsed drain current
35A
Power dissipation
1.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT3020UFDB-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current5.2A
Pulsed drain current35A
Power dissipation1.3W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance30mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.8nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.