DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3020LFDBQ-13

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.8W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMT3020LFDBQ-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	6.2A
Pulsed drain current	50A
Power dissipation	1.8W
Корпус	U-DFN2020-6
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	32mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.