DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3011LDT-7

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.9W
Монтаж: SMD — поверхностный
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMT3011LDT-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET x2
Drain-source voltage	30V
Power dissipation	1.9W
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13.2nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; 30V; 1.9W

Документация

Документы пока не предоставлены.