Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3009LFVWQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
2.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT3009LFVWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current10 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation2.3 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.