Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3009LFVW-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
10A
Pulsed drain current
90A
Power dissipation
2.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT3009LFVW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current10A
Pulsed drain current90A
Power dissipation2.3W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance20mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 90A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.