Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3006LPB-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
9/11 A
Pulsed drain current
80...100 A
Power dissipation
1.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT3006LPB-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current9/11 A
Pulsed drain current80...100 A
Power dissipation1.7 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.