DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3006LFV-13

PowerDI3333-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 45 A
Pulsed drain current: 90 A
Power dissipation: 2 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMT3006LFV-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	45 A
Pulsed drain current	90 A
Power dissipation	2 W
Корпус	PowerDI3333-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	11 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	16.7nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.