Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3006LFG-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
12.8A
Pulsed drain current
80A
Power dissipation
27.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT3006LFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current12.8A
Pulsed drain current80A
Power dissipation27.8W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.7nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.8A; Idm: 80A; 27.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.