Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3006LFDFQ-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
12.5 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT3006LFDFQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current12.5 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation2.1 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.7nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.