Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT3003LFGQ-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
18A
Pulsed drain current
100A
Power dissipation
2.4W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT3003LFGQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current18A
Pulsed drain current100A
Power dissipation2.4W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.