Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT15H017SK3-13

DMT15H017SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
54 A
Pulsed drain current
272 A
Power dissipation
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT15H017SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current54 A
Pulsed drain current272 A
Power dissipation3.2 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 54A; Idm: 272A; 3.2W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.