Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT15H017LPSW-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
7.5 A
Pulsed drain current
230 A
Рассеиваемая мощность
2.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT15H017LPSW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current7.5 A
Pulsed drain current230 A
Рассеиваемая мощность2.3 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.5A; Idm: 230A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.