DIODES INCORPORATED
Транзистор DMT12H065LFDF-7
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 115 V
- Drain current
- 4.3 A
- Pulsed drain current
- 25 A
- Power dissipation
- 1.2 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | DMT12H065LFDF-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 115 V |
| Drain current | 4.3 A |
| Pulsed drain current | 25 A |
| Power dissipation | 1.2 W |
| Корпус | U-DFN2020-6 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 65 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 5.5nC |
| Kind of package | 7 inch reel |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 4.3A; Idm: 25A; 1.2W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.