Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT12H065LFDF-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
115 V
Drain current
3.4 A
Pulsed drain current
25 A
Рассеиваемая мощность
1.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT12H065LFDF-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage115 V
Drain current3.4 A
Pulsed drain current25 A
Рассеиваемая мощность1.2 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.