Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT12H060LFDF-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
115 V
Drain current
4.4 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT12H060LFDF-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage115 V
Drain current4.4 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation1.3 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.8nC
Kind of package7 inch reel
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 4.4A; Idm: 20A; 1.3W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.