Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H072LFV-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
3.7A
Pulsed drain current
80A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H072LFV-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current3.7A
Pulsed drain current80A
Power dissipation2W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance109mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; Idm: 80A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.