Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H072LFDF-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
3.2A
Pulsed drain current
22A
Power dissipation
1.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H072LFDF-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current3.2A
Pulsed drain current22A
Power dissipation1.1W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.11Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.5nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.