DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H032SFVW-7

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 35 A
Power dissipation: 1.3 W
Корпус: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMT10H032SFVW-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	100 V
Drain current	35 A
Power dissipation	1.3 W
Корпус	PowerDI3333-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8nC

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 35A; 1.3W; PowerDI3333-8

Документация

Документы пока не предоставлены.