Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H032LFVW-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
13A
Pulsed drain current
68A
Power dissipation
2.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H032LFVW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current13A
Pulsed drain current68A
Power dissipation2.5W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance50mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.9nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 68A; 2.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.